Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem: http://hdl.handle.net/20.500.14076/17168
Registro completo de metadatos
Campo DC Valor Lengua/Idioma
dc.contributor.authorCava, Gabriel-
dc.contributor.authorDávila, José,-
dc.contributor.authorMogrovejo, Salvador-
dc.contributor.authorGutarra, Abel-
dc.contributor.authorSilva, Carlos-
dc.creatorGutarra, Abel-
dc.creatorSilva, Carlos-
dc.creatorMogrovejo, Salvador-
dc.creatorDávila, José,-
dc.creatorCava, Gabriel-
dc.date.accessioned2019-04-22T18:44:36Z-
dc.date.available2019-04-22T18:44:36Z-
dc.date.issued2005-07-
dc.identifier.citationCava, G., Dávila, J.; Mogrovejo, S.; Silva, C. & Gutarra, A. (2005). Caracterización eléctrica y electroquímica de sensores tipo transistor de efecto de campo sensitivo a Iones (ISFET). REVCIUNI, 9(1).es
dc.identifier.issn1813 – 3894-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/20.500.14076/17168-
dc.description.abstractEn este trabajo se reportan mediciones eléctricas y electroquímicas obtenidas en sensores químicos lSFET’s fabricados con nitruro de silicio como material sensible al pH y se presenta una breve introducción a sus principios de funcionamiento. Se describen las técnicas de polarización utilizadas para la extracción de las curvas voltaje-corriente, la sensibilidad química v el voltaje umbral. Además, se muestra el montaje experimental de un sistema de detección por inyección de pulsos, el cual resultó funcional.es
dc.description.abstractThis paper reports electrical and electrochemical measurements obtained for chemical sensors ISFET’s using Silicon nitride as sensitive material to pH and gives a brief introduction to its theory of operation. Additionally we describe the polarization techniques used for the extraction of voltage-current curves, Chemical sensibility and threshold voltage. Furthermore an experimental detection system by pulse injection is shown, which was functional.en
dc.formatapplication/pdfes
dc.language.isospaes
dc.publisherUniversidad Nacional de Ingenieríaes
dc.relation.ispartofseriesVolumen;9-
dc.relation.ispartofseriesNúmero;1-
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/restrictedAccesses
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/es
dc.sourceUniversidad Nacional de Ingenieríaes
dc.sourceRepositorio Institucional - UNIes
dc.subjectMOSFETes
dc.subjectISFETes
dc.subjectNitruro de Silicioes
dc.subjectVoltaje umbrales
dc.titleCaracterización eléctrica y electroquímica de sensores tipo transistor de efecto de campo sensitivo a Iones (ISFET)es
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/articlees
dc.contributor.emailivancavad@yahoo.eses
Aparece en las colecciones: Vol. 9 Núm. 1 (2005)

Ficheros en este ítem:
Fichero Descripción Tamaño Formato  
REVCIUNI_Vol9-n1-Art.3.pdf1,09 MBAdobe PDFVisualizar/Abrir


Este ítem está sujeto a una licencia Creative Commons Licencia Creative Commons Creative Commons

Indexado por:
Indexado por Scholar Google LaReferencia Concytec BASE renati ROAR ALICIA RepoLatin UNI